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S-LMBR360FT1G属于肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier)类别,采用金属-半导体结原理,摒弃传统PN结的二极管理念。其核心参数包括:
· 电气特性:40V反向重复峰值电压(VRRM)与3A平均正向电流(IF),满足工业电源中压场景需求;
· 能效表现:正向压降(VF)典型值仅0.5V@3A,远低于普通硅二极管(1V以上),可降低系统温升20%以上;
· 动态响应:反向恢复时间(trr)<10ns,有效抑制高频电路中的开关噪声,适用于MHz级开关电源拓扑。
此类性能源于铜障板工艺(Copper Barrier Technology),通过优化金属接触界面降低导通阻抗,同时提升抗浪涌能力。
1. 高密度电源模块
在AC-DC适配器或DC-DC buck转换器中,S-LMBR360FT1G的低热阻封装(θJA≤80°C/W)允许持续3A负载下无额外散热片运行,显著压缩PCB空间。例如,5V/3A输出电路实测效率达95.2%,较竞品高3-5个百分点。
2. 新能源系统
适用于光伏微型逆变器的旁路保护电路,其-65°C低温启动特性确保寒区环境稳定性。RoHS合规性(2015/863指令)进一步满足欧美市场准入要求。
3. 消费电子
手机快充模块中,快速开关特性减少同步整流损耗,搭配陶瓷电容可优化EMI表现。
乐山无线电采用三重质控体系保障产品一致性:
· 材料筛选:晶圆级浪涌测试(IEC 61000-4-5标准);
· 封装工艺:100%自动化焊接与X射线检测,杜绝虚焊;
· 终端测试:动态参数全温域(-65°C至+125°C)抽样验证。
此外,欧盟RoHS认证与无铅端子镀层(符合J-STD-020标准)确保全球出口合规性。
S-LMBR360FT1G采用标准SMD封装(具体代码需参考厂商手册),关键机械特性包括:
· 尺寸优化:主体长宽≤3.5mm×2.5mm,高度≤1.2mm,兼容0402电阻布局密度;
· 焊接兼容性:支持回流焊(峰值温度260°C)与波峰焊(235°C),镀层孔隙率<5%;
· PCB设计建议:阴极引脚下方预留铜箔散热区(≥6mm²),可降低热阻15%。
工程师选型时需权衡以下参数:
· 电压裕量:实际工作电压≤80% VRRM(即≤32V);
· 降额曲线:环境温度>85°C时,IF需按0.02A/°C线性降额;
· 替代方案:同系列包含60V/5A(S-LMBR560FT1G)等衍生产品,适用于高压场景。
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