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BC857C是一款通用型PNP双极结型晶体管(BJT),凭借其45V集射极击穿电压(Vceo)和100mA连续集电极电流(Ic)能力,成为中低压电路的理想选择。其核心优势在于高电流增益(hFE=420–800@2mA/5V),可在低驱动电流下高效放大信号,显著降低系统功耗。
低饱和压降设计(VCE(sat)≤250mV@100mA)进一步提升了能源效率,尤其在电池供电设备中可延长续航时间。同时,100MHz特征频率(fT)支持中高频信号处理,适用于音频放大和射频调制场景。
下表列出了BC857C的关键参数:
参数 | 规格值 |
晶体管类型 | PNP |
集电极电流 (Ic) | 100mA (最大值) |
集射极击穿电压 (Vceo) | 45V (最大值) |
直流电流增益 (hFE) | 420–800 @ 2mA, 5V |
饱和压降 (VCE(sat)) | 250mV @ 100mA, 5mA |
特征频率 (fT) | 100MHz |
封装形式 | SOT-23-3 (TO-236AB) |
1. 电气性能
§ 高增益稳定性:在2mA低集电极电流和5V电压下,hFE仍保持420以上的最小值,确保小信号放大的一致性。
§ 低漏电流控制:集电极截止电流(ICBO)仅15nA,减少待机功耗,提升能效。
§ 功率耐受性:250mW(Nexperia)或330mW(PANJIT)的功率耗散能力,适应高负载需求。
2. 环境适应性
工作温度范围覆盖-65°C至+150°C(Nexperia)或-50°C至+150°C(PANJIT),兼容汽车电子(AEC-Q101认证)及工业设备严苛环境。
1. 信号放大电路
高hFE特性使其在传感器信号前置放大、音频输出级等场景表现优异。例如,在麦克风放大器中,可精准处理µA级弱电流信号。
2. 开关与电源管理
§ 低饱和压降优势:作为电源开关时导通损耗极低,例如在LED驱动电路中控制100mA电流,热能损耗较竞品降低20%以上。
§ 快速响应能力:适用于DC-DC转换器中的开关元件,提升系统响应速度。
3. 高频与通信设备
100MHz特征频率支持射频调制、振荡电路设计,用于蓝牙模块、无线收发器等高频应用。
SOT-23-3封装通过JEDEC TO-236AB标准认证,具有三点优势:
1. 空间效率:3mm²占板面积,适用于可穿戴设备等紧凑型产品。
2. 自动化兼容性:卷带包装(TR/Digi-Reel®)支持SMT产线高速贴装。
3. 散热优化:铜引脚框架提升热传导效率,确保250mW功率下的长期可靠性。
Nexperia版本(型号后缀215/235):强调汽车级可靠性,AEC-Q101认证,适合车载电子。
PANJIT版本(型号BC857C_R1):提供更高功率(330mW),适合工业电机控制等高温场景。
通过精确匹配高增益、低饱和压降与宽温域特性,BC857C在消费电子、物联网设备及汽车电控系统中持续提供稳定、高效的解决方案。其技术参数已成为行业标杆,助力工程师平衡性能与成本需求。
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